NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICIUM, EPITAXIAUX 2N 743 2N 744 - HF smail signal amplification Amplification HF petits signaux - Low current high speed switching Commutation trs rapide faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale VeEo 12V 20- 60 2N743 hoy e(10 mA { 21E(10MA) yy 490 aN 744 fr 280 MHz min Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Prot (w) 0,8 . j Or 0,4 B Bottom view 0,2 Vue de dessous Tamb(C) (1) . 9 T__ (C) (2) Weight : 0,329 Collector is connected to case 9 50 100 150 200 case Masse 1.@ collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBo 20 v Collector-emitter voltage Vv, Tension collecteur-metteur CEO 12 Vv Emitter-base voltage Veso 5 Vv Tension 6metteur-base Collector current le 200 mA Courant collecteur Power dissipation Tamb = 25C (1) Prot 0,3 Ww Dissipation de puis = 25 issipation de puissance Tease 25C (2) 1 Junction temperature max T 175 c Temprature de jonction J Storage temperature min Ts 65 . C Temprature ce stockage max 9 +200 c 75-43 1/9 THOMSON-CSF > 1032N 743, 2N 744 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vop = 20V lepo 1 HA Courant rsiduel collecteur-bese le =0 Vog = 10V VBE = 0,35 Vv lcex 30 BA Tamb = 100C Collector-emitter cut-off current Voge = 20V 0,005 1 BA Coursnt rsiduel coliecteur-metteur Vee = 0 , I Vog = 20V CES Vee = 100 HA Tamb = 170C Emitter-base cut-off current Veg =5V lego 10 uA Courant rsiduel metteur-base lo = Collector-base breakdown voltage le = Vv 12 Vv Tension de claquage collecteur-base l c = 10 mA (BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage Ip =0 VBR) cect 12 Vv Tension de claquage collecteur-metteur lo = 10 mA Vog = 0,25 V hore 2N 743 | 10 Ic =1mA 2N 744 | 20 VcE = 0,35 V hore 2N 743 | 20 60 le =10mA 2n 744 | 40 120 Static forward current transfer ratio Valeur statique du rapport de transfert Vv =1V 2N 743 10 25 direct du courant , CE = 100 mA ec Fem 2N744 | 20 40 h Voge = 0.35 V 21E | an 743 | 10 le =10mA Tamb = 85C an 744 | 20 I =10mA c Vv Ip =imA 0.18 Collector-emitter saturation voltage Vocesat* Tension de saturation collecteur-metteur Io = 100 mA 2N 743 0,30 y gp = 10mA 2N 744 0,28 Pulsed impuisions =300us <2% b 2/9 1042N 743, 2N 744 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Io =10mA Ig =1mA VoEsat 0,22 0,35 Vv ; ; Tamb = 170C Collector-emitter saturation voltage Tension de je lq = 100mA 2N 743 0,35 1 Ig = 10mA VeEsat* Vv Tamb = 170C 2N 744 0,33 1 { =10mA c Vv 4 lg =1mA BEsat 0,65 0,85 Vv I = 100 mA c 1 Ig =10mA 18 v Base-emitter saturation voltage 1 Cc =10mA Tension de saturation base-dmetteur Ip =1mA VBEsat 11 V Tamb = 55C Iq = 100mA Ip = 10mA 1,6 Vv Tamb = 55C DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Transition freque Vce = 10 2N 743 | 280 600 iti quency = Frquence de transition Ic =10mA fT MHz # = 100 MHz 2N 744 { 280 700 Veg =5V Output capacitance cB _ Cc. Capacit de sortie lp =0 22b 25 5 pF f = 1 MHz * Pulsed t, =300us 5 < 2% Impuisions p 3/9 1052N 743, 2N 744 SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Test circuits Test conditions Switching times Circuits de mesure Conditions de mesure Temps de commutation = * + + Ry= Ro] 3] Ry | Rg | Yep} Vy | 'ov ler | 'B2 Yae(orty Vcc RL typ. |max. (kQ) | (2) [KAPKA (VY | OV) mA) limA)| (mA) (V) [(KS2) -1,8 | 10,2 -0,9 tytt, 26 68 |50/ 1] 0 3 | 1 |-0O5 34] 1 ns 8,7 |-10,2 t+ t 30 2N 743 | 11 | 16 = 15 ty+t, 3,3 | 50 |0,22! o *|* 10 | 3 |-1,5 3 10,25 ot [anvaaTr0 [16 ns , ~ , 2n 743 | 15 | 24 12 | -15 t+ t 2N 744 | 17 | 24 -3,5 | 15,3" 18 ty+ ty 7 0,68 |50 boi 1 50 | 15 |-7,5 4 |0,068 ns 17 1-153 ttt 2Nn 743 | 15 ' s 2N 744 | 18 -45| 20 2,4 tyr 6 | 12 0,33 156] 0 | 4 100 | 40 | 20 6 |0,05 ns 153 | -20 +t 2N 743 | 18 | 40 , s 2N 744 | 23 | 45 * Approximate values Valeurs approches SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 je ty + t,; >| ; v; / 4 10% 50 2 oO 1s [ Generator Gnrateur Vv pi] 0.0023 uF go%y 2 z= 502 I 1 tp +t, tS Ins Oscilloscope o~ 10 % | ty > 300 ns Oscilloscope 8 <2% zZ = 502 kK t. < Ins + V, 4 . tr cc / 90 % Vo 2- 4/9 1062N 743, 2N 744 SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure lo ~10mA 2N 743 7 14 Carrier storage time (fi Ip, 10mA t ns ; ig. 2) B1 $ Retard a la dcroissance Igo = 10 mA 2N 744 9 18 SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 2 Storage time t, Retard 4 la dcroissance QA O1 BF 1 Ko, v 0,1 uF 2 Generator vy > Gnrateur Z =502 500 2 912 Oscilloscope 'B4 =10mA Oscilloscope t, <1ns tp = 300 ns eee t ns a <2% [] 562 r T Vv T 10V WY 0 Tr Signal from generator V Signal du gnrateur 1 -10V te +6V 10% Signal at point A Vv Signal au point A oO , A -4V mt te A, i Vv output sortie 10% 2 ignal de sortie , q 5/9 1072N 743, 2N 744 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 'c {ma} I | 2N 743 oft Tamb = 26C ope 16 te on 10 oa ore 5 oh f 1g 70.05 mA Y/Y 0 0 5 10 15 Vogt) at z2 8 2 6 2 s 1? tot 1? fo" ig ima) (ma) | 2N 743 Teepe 200 aw 7mA oes 150 Zs BmAa_ C _ 4mA 00 oA 3mA TC | 2mA 50 oot | tg =1mA 0 1 2 3 4 Vogtv) v )) on 743 Vee =5V 6,8 0,6 0,4 0,2 z 5 2 we 107 10 107 ig tmay 6g 1082N 743, 2N 744 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Vv, (v) 0,5 0,4 0,3 0,2 Tmo 0,1 2 468 2 468 2 468 107! 10! lgtma) 'o (mA) 2N 744 | Tomb = 25C 200 gm ty L_ A ener es Ca {/ 2mA fname 100 [_ 4mA beeen 50H 1g =0,5 mA 0 a 1 2 3 4 Vogv) 2N 744 on Tomb = 25C 3 2 10 2008 v 5 eo WA 902 mA 0 5 10 15 Voge) hore 2n744 | Vor =5V eer 150 1 N \ 100 = LL N\ a (| 50 L LL seC ~ 88 ned ga ~ TTT | 0 5 Zz 102 10" 10 10! Igima} 79 1092N 743, 2N 744 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES {v) 0,8 0,6 0,4 023 5 2 5 10? 1077 10 107 gina) (Vv) 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 2 468 2 468 1 2 468 10"! 10 10 Igima) 8/9 1102N 743, 2N 744 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES ty Ns, 2N 8 Vee =-1,5V 6 Tamb = 25C 2 4 68 2 68 10! Ig(ma) 10 10! Igima) 2 4 2 4 68 2 10! an (ma) c 9/9 111