NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED *BUX 4) N TRANSISTOR SILICIUM NPN, TRIPLE DIFFUSE Preferred device Dispositif recommand - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fort courant p pn VcEo 160 V - Thermal fatigue inspection le 18 A Contr6l en fatigue thermique _ . . Prot 120 W - Switching and amplifier transistor Transistor damplification et de commutation Rethi(j-c) < 1,46 C/W VcE sat (12 A) <16V t (12 A) < 0,8 us Dissipation and Ig/g derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation et de S/B Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100 % KA oN XN ee Oo bo Q 28 30% Bottom view B Vue de dessous 9 Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 50 100 160 toase(C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contraires} cole ee ea Yea0 za v Co alae Yeeo 160 v Fe ee ree =008 | Veer 200 y Soller gine otae Vee="8V | Voex 220 v Fe a age E80 ; Y Courant collecteur. lc 18 A Couravt do et8t oe sonlecteur tp = 10ms cm 25 A Cowrent beer 'p 36 A Been ae DON ce tease = 25C Prot 120 w eae ms 5 200 - Storage temperature min stg 65 C Temprature de stockage max +200 c 74-2 1/8 783*BUX 41N STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Collector-emitter cut-off current Voce = 130V lceo 1 mA Courant rsiduel callecteur-metteur \p =0 Voge = 220V 1 mA Veg =-1,5 Vv Collector-emitter cut-off current loex Courant rsiduel collecteur-metteur Vee = 220 V VBE =-15V 5 mA - tease = 125 Emitter-base cut-off current Veg =5V 1 Courant rsiduel metteur-base Io =0 EBO 1 mA Collector-emitter breakdown voltage le = 200 mA Vv Tension de claquage collecteur-metteur i =0 CEO (sus) 160 v tL =25mH Emitter-base breakdown voltage \e = 50 mA Vv 7 v Tension de claquage metteur-bese Ig = {BR)EBO VCE : ea 15 45 Static forward current transfert ratio c h * Valeur statique du rapport de transfert 21E direct du courant Voce =4V lo = 12A 8 ! =8A Cc v lg =08A 05 1,2 Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur 1 2A CEsat c = ip =1,5A 0,75 1,6 Vv Base-emitter saturation voltage | =12A * Tension de saturation base-6metteur ic =15A VBEsat 15 2 Vv B ue Vog = 100 V 027 A t =1s Second breakdown collector current l Courant collecteur de second claquage S/B Voce =30V 4 A t =1s * Pulsed ty = 300 ys 6 < 2% Impuisions 2/8 784*BUX 41N DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition f Vee = 15 V ransition frequency _ Frquence de transition IG =1A ae 8 MHz f = 10 MHz . 1 =12A Turn-on time . c tyet Temps total dtablissement (fig. 2) \p =15A qd 09 1,3 us lo =12A Fall time . i =15A t Temps de dcroissance (fig. 2) Bl 7" f 04 08 Us 1 =-15A B2 lo =12A Carrier storage time . = Retard a la dcroissance (fig. 2) 'B1 15 A t 0,7 1,5 BS l =-1,5A B2 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rehtj-<) 1,46 oC Rsistance thermique {jonction-boitier) THERMAL FATIGUE INSPECTION Permanent inspection of soldering quality between silicon chip and header provides maximum insurance against thermal fatigue. Pulsed test : 10 000 cycles "on : 2 minutes (0 > 48 W) off: Tminute (48>0W) tease = 100C max Atcase = 85C max CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le contrle permanent de la qualit de la soudure entre fa pastille de silicium et V'embase confre au transistor un maxi- mum de garantie contre la fatigue thermique. Contrle cyclique : 3/8 785*BUX 41N SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit Continuous nnn Continu Pulsed impulsion == 26C + 2 5 10 20 50 100 200 = 800 Vag tv) 418 786*BUX 41N TEST CIRCUIT MONTAGE DE TEST CEO(sus) (fig. 1) horizontal horizontal _ 50 Hz | test transistor transistor en test L = 25 mH vertical vertical ) _Jo-sov 0>10V common + ZO tT} t + Rp = 1002 commun Note : The sustaining voltage VCEQ is acceptable when the trace falls to the right and above point A. Les tensions Veeo sont acceptables forsque fa trace passe au-dela du point A. SWITCHING TIMES TEST CIRCUITS (and oscillograms) (fig. 2) CIRCUITS DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION (et oscillogrammes) t o____ P_ at i S10 ue ~ o 8 B41 s i Ze gs | asi | v- = 30V : = 2,52 Loe 90% = 392 Ss ] ~ Eg 4 | 23 | ' a3 _ fi) 4 10 % 2s Tl ye td 7 ti: Rc- Rp : non inductive resistances 28 dr 1 Sty t : Pulse width = 10 ys Se tone t r Forme factor <1 % or on- sa i _a off orme factor < 1% Rise and falltime <50ns IB1 and Ipo mesured with Tektronix probe Ro- Ag: rsistances non inductives P 6021 and Amplifier type 134 'b : Largeur dimpulsion = 10 us fpyzetlgo sont mesurs avec une sonde Tektronix Facteur de forme <1% P6021 et Amplificateur tvne 124 Temps de monte et descente <50 ns 787*BUX 41 N TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES {A) 0 1 2 3 4 COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension Voelv} COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE(minimum value) Tension collecteur-metteur en fonction de la Voce rsistance base-metteur (valeur minimum) (Vv) 230 210 190 170 150 10! 2 468 2 468 2 4 7102 10 Re (2) BE COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension \g colecteur-metteur (mA) 38 mes mA 0 10 20 30 40 vogIvi STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du hone Vop=4V & 5 160 v 120 80 40 10! 2 4 #590 2 4681 2 * Iota 6/8 788*BUX 41 N TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de ia tension base- Courant coflecteur en fonction de fa tension |, metteur lo base-metteur Voe=4V Vop=4V 0 0,4 0,8 1,2 1,6 Vgelv) 0 0,4 0,8 1,2 1,6 Vpetv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Tension de saturation base-matteur en v fonction du courant coliecteur VBE satforetion du courant collecteur CE sar sat (v} le (v} B78 B 1,6 1,6 1,2 1,2 0,8 0,8 0,4 0,4 0 0 2 4 68 2 #468 2 #4 2 #468 2 #468 2 4 - 1 Oo 1 IAA 107 10 107 IclA) 10 0 10 lA) 18 789*BUX 41N TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-8ASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la tension C. (er = 25C 6 4 107 SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Tamps de commutation en fonction du t courant collecteur (us) = 8 ce= v 6 =8 4 2 10 8 4 2 10 0 4 8 12 16 Igta) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du courant collecteur (Mezi| Voce = 15 f = 10 MHz 15 ff togge = 28C LO ot A \ 107! 10 tg fal TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en K rgime dimpulsians 6 =0,5 4 6 = 8/8 790