
Elektrische Eigenschaften
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM
2600*
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
tvj = -40°C...tvj max VDSM = VDRM
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM = VRRM
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 550 A
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 308 A
tc = 76°C 350 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 5000 A
tvj = tvj max, tp = 10 ms 4500 A
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t125000 A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 100000 A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current vD ≤ 67%, vDRM, f = 50 Hz (diT/dt)cr 60 A/µs
f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD = 67% VDRM (dv/dt)cr
5. Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs
5. Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 1100 A vTmax. 2,88 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 1,1 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT1,6 mΩ
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max. 200 mA
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 2 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max. 10 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 5,6 ΩIHmax. 300 mA
Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK ≥ 10 ΩILmax. 1,2 A
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM iD, iRmax. 50 mA
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tgd max. 4 µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. tqtyp. 350 µs
Innerer Wärmewiderstand für beidseitige
thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin RthJC max. 0,056 °C/W
DC max. 0,05 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling Θ =180° el, sin RthJC(A) max. 0,091 °C/W
DC max. 0,085 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling Θ =180° el, sin RthJC(K) max. 0,126 °C/W
DC max. 0,12 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided RthCK max. 0,01 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,02 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F5...10 kN
Gewicht weight Gtyp. 100 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-151 A4
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request
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