Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF Key Parameters VDRM / VRRM 1600 V ITAVM 175 A (TC=85 C) ITSM VT0 5400 3570AA(TC=55C) 0,83 V rT 1,3 m RthJC 0,155 K/W Base plate 34 mm Weight 165 g For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features Lot-Bond Technologie Solder-Bond Technology Industrie-Standard-Gehause Elektrisch isolierte Bodenplatte Industrial standard package Electrically insulated base plate Typische Anwendungen Typical Applications Sanftanlasser Gleichrichter fur Antriebsapplikationen Leistungssteller Gleichrichter fur UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter content of customer DMX code type designation serial number internal production order number material number date code (YY/WW) add on for date code Date of Publication 2014-11-12 DMX code digit 1..18 19..23 24..31 32..41 42..45 46 Soft starter Rectifier for drives applications Power controllers Rectifiers for UPS Battery chargers Static switches DMX code digit quantity 18 5 8 10 4 1 TT TD www.ifbip.com support@infineon-bip.com Revision: 3.2 Seite/page: 1/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF TT175N16SOF... TD175N16SOF... Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung Tvj = -40C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM,VRRM 1600 V Vorwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40C... Tvj max VDSM 1600 V Ruckwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25C... Tvj max VRSM 1700 V ITRMSM 275 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85C ITAVM 175 A Stostrom-Grenzwert surge current Tvj = 25C, tP = 10ms ITSM 5400 A Grenzlastintegral It-value Tvj = 25C, tP = 10ms It Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 60747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s (diT/dt)cr Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter F (dvD/dt)cr Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Tvj = 25C vT max. 1,8 V 0,83 V iT = 500 A 145000 As 200 A/s 1000 V/s Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) max. Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT max. 1,3 m Zundstrom gate trigger current Tvj = 25C, vD = 12V IGT max. 150 mA Zundspannung gate trigger voltage Tvj = 25C, vD = 12V VGT max. 2 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 mA 5 mA Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25C, vD = 12V, RA = 1 IH max. 400 mA Einraststrom latching current Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 1A, diG/dt = 1A/s, tg = 20s IL max. 1000 mA Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 40 mA Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 60747-6 Tvj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s tgd max. 1 s prepared by: Dg approved by: ML Date of Publication 2014-11-12 date of publication: 2014-11-12 revision: Revision: 3.2 3.2 Seite/page: 2/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s 5.Kennbuchstabe / 5th letter O tq RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec VISOL Thermische Eigenschaften Isolations-Prufspannung insulation test voltage Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink typ. 3,0 kV 3,6 kV pro Modul / per Module, = 180 sin RthJC pro Zweig / per arm, = 180 sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC max. max. max. max. pro Modul / per Module pro Zweig / per arm max. max. Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature RthCH 0,082 0,164 0,078 0,155 K/W K/W K/W K/W 0,05 K/W 0,10 K/W 125 C Tvj max Mechanische Eigenschaften 175 s Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+125 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Seite 4 page 4 Innere Isolation internal insulation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140) Anzugsdrehmoment fur mechanische Anschlusse mounting torque Toleranz / Tolerance 15% M1 5 Nm Anzugsdrehmoment fur elektrische Anschlusse terminal connection torque Toleranz / Tolerance 15% M2 5 Nm Steueranschlusse control terminals DIN 46 244 Gewicht weight Al2O3 A 2,8 x 0,8 G typ. 165 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance mm f = 50 Hz file-No. Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 50 m/s E 83335 Seite/page: 3/11 Technische Information / technical information d Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 1 2 4 5 3 7 6 TT Date of Publication 2014-11-12 TT175N16SOF 1 2 3 4 5 TD Revision: 3.2 Seite/page: 4/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 Rthn [K/W] 0,0555 0,0324 0,0495 0,0176 n [s] 1,07 0,51 0,1123 0,0018 5 Z thJC Analytische Funktion / Analytical function: 6 n max 7 -t R thn 1 - e n n=1 Erhohung des Zth DC bei Sinus und Rechteckstromen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Zth rec / Zth sin = 180 = 120 = 90 = 60 = 30 Zth rec [K/W] 0,02024 0,03764 0,05264 0,07620 0,11517 Zth sin [K/W] 0,00896 0,01646 0,02838 0,05072 0,09491 Zth rec = Zth DC + Zth rec Zth sin = Zth DC + Zth sin Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 Seite/page: 5/11 Technische Information / technical information Diagramme Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF 0,20 Z(th)JC [K/W] 0,15 0,10 0,05 0,00 0,001 0,01 t [s] 0,1 1 10 Transienter innerer Warmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Durchgangsverluste Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle 100 10 vG [V] c Tvj = +125 C 1 b Tvj = -40 C Tvj = +25 C a 0,1 10 100 1000 iG [mA] 10000 100000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zundbereichen fur VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 50W/8ms Date of Publication 2014-11-12 b - 100W/0,5ms Revision: 3.2 c - 150W/0,1ms Seite/page: 6/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF PTAV [W] 350 300 DC 250 180 sin 200 90 rec 60 rec 180 rec 120 rec Q = 30 rec 150 100 Gehausetemperatur bei Rechteck 50 0 0 50 100 150 200 250 300 ITAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berucksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle 140 120 T C [C] 100 80 60 180 sin 40 rec QQ= =3030rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec DC 20 0 50 100 150 ITAVM [A] 200 250 300 Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berucksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 Seite/page: 7/11 Technische Information / technical information P tot [W] Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF 2000 B2 RthCA [K/W] ID + 0,10 0,12 1500 ~ 0,15 R-Last R-load 0,20 0,25 0,30 1000 L-Last L-load 0,40 0,60 500 0,80 1,00 1,00 1,00 2,00 2,00 0 10 30 50 70 90 0 110 100 200 300 400 I D [A] T A [C] Hochstzulassiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Bruckenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA P tot [W] 2500 B6 R thCA [K/W] ID + 0,10 2000 3~ 0,12 0,15 - 0,20 1500 0,25 0,30 1000 0,40 0,50 0,60 500 , 0,80 1,00 1,50 2,00 0,12 0 10 30 50 70 90 110 0 100 200 T A [C] 300 400 500 ID [A] Hochstzulassiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Bruckenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 Seite/page: 8/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module P tot [W] 0,08 800 TT175N16SOF W 1C ~ R thCA K/W] 0,10 IRMS 0,12 0,15 ~ 600 0,20 0,25 0,30 400 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 200 2,00 0 10 30 50 70 90 0 110 100 TA [C] 200 I RMS [A] 300 400 300 400 Hochstzulassiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA P tot [W] 3000 R thCA [K/W] ~ W 3C ~ ~ IRMS 0,08 2500 0,10 ~ 0,12 2000 ~ ~ 0,15 0,20 1500 0,25 0,30 0,40 1000 500 0,50 0,60 0,80 1,00 2,00 0 10 30 50 70 90 110 0 T A [C] 100 200 I RMS [A] Hochstzulassiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 Seite/page: 9/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF Qr [As] 10000 iTM = 500A 200A 100A 1000 50A 20A 100 1 10 -di/dt [A/s] 100 Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlastrom / On-state current iTM 3.500 IT(OV)M [A] 3.000 a 2.500 TA = 35 C 2.000 1.500 1.000 500 TA = 45 C b 0 0,01 0,1 1 t [s] Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35C, verstarkte Luftkuhlung / Forced air cooling TA = 45C, Luftselbstkuhlung / Natural air cooling Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 Seite/page: 10/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT175N16SOF Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes fur Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication 2014-11-12 Revision: 3.2 Seite/page: 11/11 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: TT175N16SOF TD175N16SOF