TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ2400R12KL4C IHM-AModulmitlowlossIGBT2undEmitterControlledDiode IHM-AmodulewithlowlossIGBT2andEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C Tvj = 125C VCES 1200 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 2400 3700 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 4800 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 15,0 kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 2400 A, VGE = 15 V IC = 2400 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 96,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C VCE sat A A typ. max. 2,10 2,40 2,60 2,90 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 26,0 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,5 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 170 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 11,0 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 0,56 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,35 0,37 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 0,56 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,23 0,21 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 0,56 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 1,15 1,20 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 0,56 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,17 0,18 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 2400 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH VGE = 15 V RGon = 0,56 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 320 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 2400 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH VGE = 15 V RGoff = 0,56 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 400 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 6,40 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 1 tP 10 s, Tvj = 125C 20000 A 8,40 K/kW K/kW 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ2400R12KL4C Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Tvj = 125C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 1200 1200 V IF 2400 A IFRM 4800 A It 1200 kAs ton min 10,0 s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,70 2,30 2,20 V V 1200 1800 A A Qr 210 470 C C IF = 2400 A, - diF/dt = 12000 A/s (Tvj=125C)Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V Erec 90,0 160 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 10,5 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 2400 A, VGE = 0 V IF = 2400 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 2400 A, - diF/dt = 12000 A/s (Tvj=125C)Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V IRM Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 2400 A, - diF/dt = 12000 A/s (Tvj=125C)Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase 2 14,0 K/kW K/kW 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ2400R12KL4C Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 20,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 VISOL kV 2,5 min. typ. RthCH 4,00 LsCE 10 nH RCC'+EE' 0,12 m Tstg -40 125 C SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm SchraubeM4-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,7 - 2,3 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight G 2250 g preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlusse Terminalconnectiontorque 3 max. K/kW TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ2400R12KL4C IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 4800 4800 Tvj = 25C Tvj = 125C 4200 4200 3000 3000 IC [A] 3600 IC [A] 3600 2400 2400 1800 1800 1200 1200 600 600 0 VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V VGE = 7 V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=0.56,RGoff=0.56,VCE=600V 4800 1000 Tvj = 25C Tvj = 125C 4200 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 900 800 3600 700 3000 IC [A] E [mJ] 600 2400 500 400 1800 300 1200 200 600 0 100 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 4 0 800 1600 2400 IC [A] 3200 4000 4800 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ2400R12KL4C IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=2400A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 2400 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C ZthJC : IGBT 2000 E [mJ] ZthJC [K/kW] 1600 1200 1 800 400 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,94 2,94 1,68 0,84 i[s]: 0,02 0,06 0,1 0,3 0 1 2 3 4 5 RG [] 6 7 8 0,1 0,001 9 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=0.56,Tvj=125C 5600 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 4800 Tvj = 25C Tvj = 125C 4200 4800 3600 4000 3000 IF [A] IC [A] 3200 2400 2400 1800 1600 1200 800 0 600 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 5 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 VF [V] 1,5 1,8 2,1 2,4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ2400R12KL4C IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.56,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=2400A,VCE=600V 200 200 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C 120 120 E [mJ] 160 E [mJ] 160 80 80 40 40 0 0 800 1600 2400 IF [A] 3200 4000 0 4800 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 100 ZthJC : Diode ZthJC [K/kW] 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 4,9 4,9 2,8 1,4 i[s]: 0,02 0,06 0,1 0,3 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 6 0 1 2 3 4 5 RG [] 6 7 8 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ2400R12KL4C Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ2400R12KL4C Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:DTS revision:3.2 8 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FZ2400R12KL4C