NPN SILICON TRANSISTOR, DIFFUSED MESA TRANSISTOR NPN SILICIUM, MESA DIFFUSE *2N 3738 - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance - High voltage switching Commutation haute tension Dissipation and Ig/g derating Variation de dissipation et de Isp K Preferred device Dispositif recommand Vceo 225 V Ic 3A Prot 20 W Reh (j-c) 7,5 c/w max. h27(0,1 A) 40 - 200 fr 10 MHz min. Case TO-66 See outline drawing CB-720n last pages Boitier Voir dessin cot CB-72 dernires pages Bottom view DenHON_BEMICONDUCTEURS. eM ESV EN 0 oom S Vue de dessous 4 75 N Se E 2 | 50+ 50% oO 5 oO 28 B | Weight : 6,4 g. Collector is connected to case Qo 50 100, 180 tg, (Pc) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION (Sauf indications contraires) Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBO 250 v Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-6metteur CEO 225 v Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Vee = 15 Voex 250 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 6 v Collector current \ c 3 A Courant collecteur Base current | 1 A Courant base B Power dissipation . _ Dissipation de puissance case = 25C Prot 20 w Junction temperature t Temprature de jonction max } 175 c Storage temperature min t 65 C Temprature de stockage max stg +178 C 74- 7 THOMSON - CSF 327*2N 3738 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case ~ (Sauf indications contraires} Test conditions j Conditions de mesure Min. Typ. Max. . = 126 Collector emitter cut-off current Vee =125V lcEO 0,28 mA ourant rsiduel collecteur-metteur Ip = Vee = 250 V 05 mA Veg = 15 V ' Collector-emitter cut-off current I Courant rsiduel coliecteur-metteur . CEX Vor =125V Veg = 15 V 1 mA toase = 100C Collector-base cut-off current Vog = 250 V logo 0,1 mA Courant rsiduel collecteur-bese le =0 Emitter-base cut-off current Veg = 6V eBo 0,1 mA Courant rsiduel metteur-base lo =0 Collector-emitter breakdown voltage | 'c =5mMA Vv nk 225 v Tension de claquage coflecteur-metteur lp =0 (BR)CEO Vor =10V cE le = 0,05 A 30 Static forward current transfer ratio Veg =10V . Valeur statique du rapport de transfert cE _ M1 40 200 . I =0,14 direct du courant c Vere =10V cE Iq =0,25A 25 Collector-emitter saturation voltage le = 0,25 A VcEsat 2,5 Vv Tension de saturation collecteur-metteur lp = 0,025 A s Base-emitter voltage Voge = 10V VBE 1 Vv Tension base-metteur Io =0,1A * Pulsed t. =300ps 5<2% imputsions p 27 328*2N 3738 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Vee = 20 V Forward current transfer ratio _ h Rapport de transtert direct du courant Ig = 100mA ate 36 f = 1 KHz Veg =10V Transition frequency cE Frquence de transition le =0,1 A: fT 10 MHz f = 10 MHz Output capacitance Veg = 100 V c F Capacit de tortie f c = 0,1 MHz 22b 20 Pp THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Runt Rsistance thermique (jonction-boitier} thlj-c) 75 ciw 3/7 329*2N 3738 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 0,5 0,2 0,1 Pulsed 0,05 Impulsions ~~" 0,02 0,01 1 2 5 10 20 50 86100 200 Voce (v) al?*2N 3738 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE 1 Courant collecteur en fonction de la tension tab collecteur-metteur 40.08 me amA 7 COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant coliecteur en fonction de ja tension I t ma} collecteur-metteur 180 yA 160 pA 140 vA 120 pA 80 VoetV) COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE (minimum value) Tension collecteur-metteur en fonction de la CE rsistance base-metteur {valeur minimum) t = 25C 260 250 240 230 220 10! 2 468 107 10 4 Rpg (2) 331*2N 3738 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du hoy E courant en fonction du courant collecteur Vv ce> 80 20 4 68 2.468 ,2 4, 2 102 107 10 BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de fa tension basa- metteur pg (mA} Voap = 10V 05 06 O08 1 12 Vue STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant callecteur h 21E Ver = 10V 80 60 40 20 0 2 468 2 468 2 4 10? 10! 10 VoelV) COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fla tension base-metteur (A) Voge = 10 V. 6 0,5 1 Vee!) 6/7 332*2N 3738 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation coliecteur-metteur en Vv Tension de saturation base-metteur en Voe sat Orton du courant collecteur pisot fonction du courant collecteur (v) 1 0,5 204685 2 4 14a) OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la tension collecteur-base 225 (pF) 10! 2 4 68 2 4 6 o! Vogl) WW? 333