Transistors NPN silicium 2N 743 Epitaxiaux 2N 744 NPW silicon transistors Epitaxial * Dispositif recommand Prefered device - Amplification HF petits signaux Donnes principales HF small signal amplification Principal features - Commutation trs rapide faible courant Low current high speed switching Vceo 12 V 20 - 60 2N 743 hoie (10 mA) 40-120 2N 744 fr 280 MHz min. Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (wy nes 08 Boitier T0-18 \ Case 0.6 ! Y 0 Che j B 0.2 0 tamb(@C) (1) : se: Le collecteur est reli au boitier 50 100 150200 teosetCi{2) Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation a tamp=25C . Absolute ratings (limiting values} (Sau indications Sonuaires ) Parambtse Paramiter Tension collecteur-base Collector-base voltage VcBo 20 v Tension collecteur-metteur Vv 12 Vv Collector-emitter voltage CEO Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 5 v Courant collecteur Collector current lo 200 mA t = 25C Dissipation de puissance Jamb = 25C (1) | P, 9,3 Ww on we | s Power dissipation tease = 25C (2) oO 1 Temprature de jonction max t 175 C Junction temperature . J Temprature de stockage min. t ~ 6 oc Storage temperature max. stg +200 1970 - 04 1/8 See gen Socit Europenne de Semucanducteurs el de Microle.tranwque2N 743 2N 744 Caractristiques gnrales 4 tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires)} (Unless otherwise specified) Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off currant Vop Vee = 0,35 V Ver = 10V ln 30 CE CEX tamb = 100C i Voc = Courant rsiduel collecteur-metteur BE Collector-emitter cut-off current Vee =20V 0,005; 1 HA Vee = Ices Veg = 20 v 100 tamb = 170C Courant rsiduel metteur-base Io = I. 10 | wa Emitter-base cut-off current Veg =5V EBO . | = Tension de claquage collecteur-base Collector-base breskdown voltage Iq =10mA ViBRICBO 12 V Tension de claquage collecteur-metteur ip = Vv * 42 7 Collector-emitter breakdown voltage lo =10mA (BR)CEO t =1tmA 2N 743 10 c hoy E Voge =9.25V | an 744 a 20 lo = 10mA 2N 743 h 20 60 Veg = 0,35 V 21E Valeur statique du rapport du transfert cE an 744 40 120 irect du couran = Static forward current transfer ratio Ic = 100 ma 2N 743 he 10 26 Vee =1V 2N 744 21E 20 40 loc =10mMA | 2n 743 10 Vee = 0,35 V h. c ne, 21E tamb = 55C 2N 744 20 t =10mA c Ip =1mA 0,15 Tension de saturation collecteur-metteur Vac* Vv Collector-emitter saturation voltage ! c =100 mA 2N 743 CEsat 0,30 Ig =10mA 2N 744 0,28 * impulsions < 2% t, = 300us Pulsed Pp 2/82N 743 2N 744 Caractristiques gnrales a tam = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics 's = tine Voesat 0,22 | 0,35 Tension de saturation collecteur-metteur amb Vv Collector-emitter saturation voltage le =100 mA 2N 743 0,35 1 I =10mA Var B CEsat tamb= 170C | 2N744 0,33] 1 le =10mA Ip = 1mA Veesat | 0.65 0,85 le = 100 mA lg = 10mA VeEsat 1 1 15 Tension de saturation base-metteur le = 10mA Vv Base-emitter saturation voltage | =1tmA Vv * 1 B , BEsat ' tamb = ~ 98C Io = 100 mA Ip = 10mA Vpsat 1.6 tamb= ~ 58C Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals} lc = 10mA | 2Nn 743 280 | 600 Frquence de transition Vog = 10V fy MHz ition f ransition frequency t = 100 MHz 2N 744 280 700 Ves =5V Capacit de sortie = Output capacitance 'e =0 Cob 2,5 5 pF f = 1 MHz * i mputsions t.=300us 68 < 2% Pulsed Pp 3/82N 743 2N 744 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques de commutation Switching characteristics Circuits de mesure Conditions de mesure Temps de commutation Test cireuits Test conditions Switching times = * * * Ry= Ro) Rg] Ra] Re | Yep] Vay 'ou} tat | 'B2 YBeEott| Voc} Bi typ. |max. (kQ) 11) (KAKA! (VE | OV) [ImaiimaAriman (vy | (vy [Oy -1,8| 10,2 -0,9 tat t 26 68 |50/ 1 | 0 3 | 1 |-05 34/1 ns 8,7 |10,2 Bry 30 2N743 | 11 3 | 18 18 dtr on gaa 10 v6 3,3 | 50 |0,22] 0 10 | 3 |-1,5 3 |0,25 ou7aa tae toa | 12 | 15 +t 2N 744 | 17 | 24 -3,5| 15,3 18 tat t, 7 0,68 | 500,018 1 50 | 15 |-7,5 4 0,068 PEYCRIET ns 11,7 |-15,3 t+ te 2n 744 | 18 4,5; 20 2,4 ty +h 6 12 0,33 | 56] 0 | 1 100| 40 |-20 6 |0,05 Nyaa tae tao 15,3 | 20 t+ t 2n 744 | 23 | 45 * Valeurs approches Approximate values Schmas de mesures des temps de commutation Switching times tests circuit Figure 1 ROLF R 5 v y 1 We pie > 1 wv > , R F50u Gnerateur jp wf 0,0028 yk i Generator 0.005 sF 0,005 ,.F i Oscilloscope Z = 500 Se, + -4JE- -4+ , Oscilloscope tr < Ins +- 4+ Ak + z= 50a VF I: + tp 2 300ns Vee oN OF ce tr< Ins 5 < 2% l als2N 743 2N 744 Caractristiques gnrales a tambh = 25C General characteristics Caractristiques de commutation Switching characteristics Io ~10mA Retard a la dcroissance (fig. 2) Ig, * 10mA Storage time Igo =-10 mA Schmas de mesures des temps de commutation Switching times tests circuit Figure :2 Retard a la dcroissance t Storage time Gnrateur Ae so OT eR ky Generator . OT uF baw z=502 | aa Ig, = 10mA 2.0023 nF Oscilloscope t Stns 56.0 ta: he Oscilloscope tp = 300 ns . io pF our |, Z = 508 a <2% eV we 10V ty < Ins 0 ee Signal du gnrateur v Signal from generator a ' +6v 10% Signal au point A pee NV Signal at point A aay | \ . . ett, Signal de sortie v, Out put signal E-1OK 5/82N 743 2N 744 Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsions) {pulse tests} ; 2N 743 tamb 725C 100 ce (V) =) 0 01 1 2 5 10 c (mA) Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) 2N 743 Iq (ma) 1 ce VY) 6/82N 743 2N 744 Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsions) {pulse tests} 2N 744 tamb= 25C ce (V) ce (v) Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) 2N 744 1g (mA) 01 CE {v) 7/82N 743 2N 744 Caractristiques de commutation Switching characteristics tamb =25C 2N 743 2 5 10 2 $0 100 c (mA) Caractristiques de commutation Switching characteristics tamb= 25C 2N 744 8/8