TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 50 75 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 280 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,70 1,90 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,47 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 4,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,09 0,09 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,03 0,05 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,42 0,52 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,07 0,09 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = 15 V RGon = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 4,90 6,60 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = 15 V RGoff = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 4,00 4,90 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,45 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 1 tP 10 s, Tvj = 125C 200 A C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 50 A IFRM 100 A It 690 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 1200 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C IRM 51,0 50,0 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 50 A, - diF/dt = 1200 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Qr 6,20 12,0 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 50 A, - diF/dt = 1200 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Erec 2,10 4,40 mJ mJ VF V V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,75 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C VRRM 1600 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 80 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80C IRMSM 115 A StostromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C IFSM 500 400 A A Grenzlastintegral It-value tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C It 1250 800 As As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,00 V IR 3,00 mA proDiode/perdiode RthJC TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150C, IF = 50 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150C, VR = 1600 V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase 2 0,65 K/W C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 40 55 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 210 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,80 2,05 2,30 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,33 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 6,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 27 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,09 0,09 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 27 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,03 0,05 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 27 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,42 0,52 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 27 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,07 0,09 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = 15 V RGon = 27 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 4,10 6,00 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = 15 V RGoff = 27 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 3,10 3,60 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 3 tP 10 s, Tvj = 125C 160 A C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 15 A IFRM 30 A It 60,0 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C IRM 16,0 15,0 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Qr 1,80 3,00 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Erec 0,55 1,10 mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW VF V V C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu AI203 Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 225 min. typ. RthCH 0,009 LsCE 60 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 4,00 2,00 m Tstg -40 125 C SchraubeM5-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight G 300 g preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 5 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 100 100 Tvj = 25C Tvj = 125C 80 80 70 70 60 60 50 40 30 30 20 20 10 10 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 20 Tvj = 25C Tvj = 125C 90 70 14 60 12 E [mJ] 16 50 10 40 8 30 6 20 4 10 2 5 6 7 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 18 80 0 0,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=18,RGoff=18,VCE=600V 100 IC [A] 50 40 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 90 IC [A] IC [A] 90 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 6 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=50A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 12 1 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C ZthJC : IGBT 10 ZthJC [K/W] E [mJ] 8 6 0,1 4 2 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,05077 0,2032 0,1142 0,07893 i[s]: 0,002345 0,0282 0,1128 0,282 0 5 10 15 20 RG [] 25 30 35 0,01 0,001 40 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=18,Tvj=125C 120 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 100 Tvj = 25C Tvj = 125C 90 100 80 70 80 IF [A] IC [A] 60 60 50 40 40 30 20 20 10 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 7 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=18,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=600V 8 8 Erec, Tvj = 125C 7 7 6 6 5 5 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125C 4 4 3 3 2 2 1 1 0 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 0 100 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 5 10 15 20 RG [] 25 30 35 40 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 1 100 ZthJC : Diode Tvj = 25C Tvj = 150C 90 80 70 IF [A] ZthJC [K/W] 60 0,1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,07637 0,4933 0,1421 0,04501 i[s]: 0,003333 0,03429 0,1294 0,7662 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 0,4 0,6 0,8 1,0 VF [V] preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 8 1,2 1,4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 80 80 Tvj = 25C Tvj = 125C 70 60 60 50 50 IF [A] IC [A] 70 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 20 40 Tvj = 25C Tvj = 125C 60 80 100 TC [C] 120 140 160 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 9 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines In fineon preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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