SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group 240
.
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
●Hohe Linearität
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Computer-Blitzlichtgeräte
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
●High linearity
●5 mm LED plastic package
●Available in groups
Applications
●Computer-controlled flashes
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
SFH 300
SFH 300 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6652 feo06652
10.95
Semiconductor Group 241
SFH 300
SFH 300 FA
1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 300
(*BP 103 B) Q62702-P1189 SFH 300 FA
(*BP 103 BF) Q62702-P1193
SFH 300-2
(*BP 103 B-2) Q62702-P85-S2 SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2) Q62702-P1192
SFH 300-3
(*BP 103 B-3) Q62702-P85-S3 SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3) Q62702-P1057
SFH 300-41)
(*BP 103 B-4) Q62702-P85-S4 SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4) Q62702-P1058
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 35 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 100 mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage VEC 7V
SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group 242
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 200 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 375 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 300 SFH 300 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 870 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ420 ... 1130 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A0.12 0.12 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.5 ×0.5 0.5 × 0.5 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H4.1 ... 4.7 4.1 ... 4.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±25 ±25 Grad
deg.
Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
Capacitance CCE 6.5 6.5 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E= 0
ICEO 5 (≤100) 5 (≤ 100) nA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 243
SFH 300
SFH 300 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
SFH 300:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.63 ... 1.25
3.4
1 ... 2
5.4
≥1.6
8.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr, tf7.5 10 10 µs
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 130 140 150 mV
SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group 244
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 Srel =f (λ)
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 FA Srel =f (λ)
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO/ICEO25o=f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Dark current
ICEO =f (VCE), E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE =f (VCE), f= 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
