o> BD 166 - BD 168 - BD 170 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Leistungstransistoren Silicon PNP Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: @ Veriustleistung 20 W @ Gepaart lieferbar @ BD 166, BD 168, BD 170 sind komple- mentr zu BD 165, BD 167, BD 169 Abmessungen in mm Dimensions in mm i 28 \ Features: @ Power dissipation 20 W @ Matched pairs available @ BD 166, BD 168, BD 170 are comple- mentary to BD 165, BD 167, BD 169 0,5 125 Zubehr Accessories Isolierscheibe Isolating washer Unterlegscheibe Washer Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung Collector-base voltage 3,2 DIN 125A Best. Nr. 119 880 Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung Emitter-base voltage B 2/V.2.416/0477A2 UcBo -UcEO - UEBO Kollektor mit metallischer Montageflache verbunden Collector connected metallic surface Normgehause Case 12 A 3 DIN 41 869 JEDEC TO 126 (SOT 32) Gewicht - Weight max. 0,8g BD 166 BD 168 BD 170 45 60 80 Vv 45 60 80 Vv 21BD 166 - BD 168 - BD 170 22 Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom Collector peak current Basisstrom Base current Gesamtverlustieistung Total power dissipation tcase = 25C Sperrschichttemperatur Junction temperature Lagerungstemperaturbereich Storage temperature range Anzugsdrehmoment Tightening torque with screw M3 and washer -Io ICm ease = 25 C 1) mi . . ) mit M3-Schraube und Unterlagscheibe 3,2 DIN 125A 15 500 20 150 ~65...+150 70 mA C C NomBD 166 - BD 168 - BD 170 Warmewiderstande Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Junction ambient Sperrschicht-Gehause Junction case KenngrBen Characteristics lamb = 25C Kollektorreststrom Collector cut-off current Uppg = 45V BD 166 - Ucp = 60V BD 168 - Ugg = 80V BD 170 Emitterreststrom Emitter cut-off current ~ Upp = 5V Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage -Ig = 100mA BD 166 BD 168 BD 170 Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage ~I = 500 mA, -/g = 50mA Basis-Emitter-Spannung Base-emitter voltage -Uce = 2V,-Io = 500mA Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio Uce = 2V,-Iog = 150mA Uce = 2V, -Ig = 500mA Fir Paare gilt das 4-_-Verhditnis hfe matched pair ratio UcE = 2V,-I = 150mA 4) Transitfrequenz Gain bandwidth product ~Uce = 2V,-Io = 500 mA, f = 1 MHz h 1) ? = 0,01 1, = 0,.3ms Pp RihJa Rthuc IcBo -IcBo -IcBo ~JEBO - Upry)ceo *) - UBRycEO) -UprRycEO) - UcEsat *) Upe Are?) hee) ST Min. Typ. Max. 100 C/W 6,25 C/W 100 HA 100 pA 100 HA 1 mA 45 Vv 60 Vv 80 Vv 500 mV 950 mV 40 15 14 3 MHz 23BD 166 - BD 168 - BD 170 Use = 20 Vv hee =10 t BP. 77 0,01 tp = 0,3 ms famb = 25C Upeeat ~Uce = 2v t = = 0,01 p= 0,3 ms famb * 25 C t - A FEn = __ "2. or AEEn Teg Cig = 30 MA. tamp= 25 C) tamb = +180 C 10 24